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JANTX1N5811US - DIODE GEN PURP 150V 3A B-MELF

Semtech

JANTX1N5811US - DIODE GEN PURP 150V 3A B-MELF

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JANTX1N5811US
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Caractéristiques

RoHSOui
Date code0805
NSN5961-01-456-6584
Tension150V
Température de fonctionnement-65 to 175 °C

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